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Notizie dell'azienda SK Hynix utilizzerà un nuovo fotoresistente nella produzione di 1c DRAM

SK Hynix utilizzerà un nuovo fotoresistente nella produzione di 1c DRAM

2024-12-30

Mentre la miniaturizzazione DRAM continua ad avanzare, aziende come SK Hynix e Samsung Electronics si stanno concentrando sullo sviluppo e l'applicazione di nuovi materiali.

Secondo TheElec, SK Hynix prevede di utilizzare la fotoresistenza a ossido metallico (MOR) di nuova generazione di Inpria nella produzione di DRAM di sesta generazione (processo 1c, circa 10nm), che è la prima volta che MOR viene applicata al processo di produzione di massa DRAM.

La DRAM 1c prodotta in serie da SK Hynix ha cinque strati a ultravioletto estremo (EUV), uno dei quali sarà disegnato utilizzando MOR, hanno detto le fonti. "Non solo SK Hynix, ma anche Samsung Electronics perseguirà tali materiali PR inorganici", ha aggiunto.

Inpria è una filiale della società chimica giapponese JSR e leader nel campo della fotoresistenza inorganica. MOR è considerata la prossima generazione di fotoresistenza chimicamente amplificata (CAR) attualmente utilizzata nella litografia avanzata dei chip.

Inoltre, l'azienda collabora con SK Hynix nella ricerca MOR dal 2022. SK Hynix ha precedentemente affermato che l'uso della fotoresistenza a base di ossido di Sn (stagno) aiuterà a migliorare le prestazioni della DRAM di nuova generazione e a ridurre i costi.

Il rapporto TheElec ha anche notato che Samsung Electronics sta anche valutando l'applicazione di MOR alla DRAM 1c e attualmente Samsung Electronics applica da sei a sette strati EUV sulla DRAM 1c, mentre Micron ne applica solo uno.

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