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DRAMの微細化が進む中、SK HynixやSamsung Electronicsなどの企業は、新素材の開発と応用を重視しています。
TheElecによると、SK Hynixは、6世代(1cプロセス、約10nm)DRAMの製造にInpriaの次世代金属酸化物フォトレジスト(MOR)を使用する予定であり、MORがDRAMの量産プロセスに適用されるのはこれが初めてです。
SK Hynixの量産1c DRAMには5つの極端紫外線(EUV)層があり、そのうちの1つはMORを使用して描画されると情報筋は述べています。「SK Hynixだけでなく、Samsung Electronicsもこのような無機PR材料を追求するでしょう」と彼は付け加えました。
Inpriaは日本の化学会社JSRの子会社であり、無機フォトレジスト分野のリーダーです。MORは、現在高度なチップリソグラフィーで使用されている化学増幅フォトレジスト(CAR)の次世代と考えられています。
さらに、同社は2022年からSK HynixとMORの研究に取り組んでいます。SK Hynixは以前、Sn(ベース)酸化物フォトレジストの使用が次世代DRAMの性能向上とコスト削減に役立つと述べています。
TheElecのレポートはまた、Samsung Electronicsも1c DRAMへのMORの適用を検討しており、現在Samsung Electronicsは1c DRAMに6〜7層のEUV層を適用している一方、Micronは1層しか適用していないと指摘しています。