W miarę postępów w miniaturyzacji DRAM, firmy takie jak SK Hynix i Samsung Electronics koncentrują się na rozwoju i zastosowaniu nowych materiałów.
Według TheElec, SK Hynix planuje wykorzystać fotorezyst metalu tlenkowego (MOR) nowej generacji firmy Inpria w produkcji DRAM 6. generacji (proces 1c, około 10nm), co jest pierwszym przypadkiem zastosowania MOR w procesie masowej produkcji DRAM.
Masowo produkowany DRAM 1c firmy SK Hynix ma na sobie pięć warstw ekstremalnego ultrafioletu (EUV), z których jedna zostanie narysowana przy użyciu MOR, jak podają źródła. „Nie tylko SK Hynix, ale także Samsung Electronics będzie dążyć do takich nieorganicznych materiałów PR” – dodał.
Inpria jest spółką zależną japońskiej firmy chemicznej JSR i liderem w dziedzinie nieorganicznych fotorezystów. MOR jest uważany za następną generację chemicznie wzmacnianego fotorezystu (CAR) obecnie używanego w zaawansowanej litografii chipów.
Ponadto firma współpracuje z SK Hynix nad badaniami MOR od 2022 roku. SK Hynix wcześniej stwierdził, że użycie fotorezystu tlenku Sn (bazy) pomoże poprawić wydajność DRAM nowej generacji i obniżyć koszty.
Raport TheElec zauważył również, że Samsung Electronics również rozważa zastosowanie MOR do DRAM 1c, a obecnie Samsung Electronics stosuje sześć do siedmiu warstw EUV na DRAM 1c, podczas gdy Micron stosuje tylko jedną warstwę.
