Global Soul Limited liyi@gs-smt.com 86-755-27962186
با ادامه پیشرفت در کوچکسازی DRAM، شرکتهایی مانند SK Hynix و Samsung Electronics بر توسعه و کاربرد مواد جدید تمرکز کردهاند.
به گزارش TheElec، SK Hynix قصد دارد از نسل بعدی فوتورزیست اکسید فلزی (MOR) Inpria در تولید DRAM نسل ششم (فرآیند 1c، حدود 10 نانومتر) استفاده کند، که اولین باری است که MOR در فرآیند تولید انبوه DRAM اعمال میشود.
DRAM 1c تولید انبوه SK Hynix دارای پنج لایه فرابنفش شدید (EUV) است که یکی از آنها با استفاده از MOR ترسیم میشود، منابع گفتند. وی افزود: «نه تنها SK Hynix بلکه Samsung Electronics نیز به دنبال چنین مواد PR غیر آلی خواهد بود».
Inpria یک شرکت تابعه از شرکت شیمیایی ژاپنی JSR و پیشرو در زمینه فوتورزیست غیر آلی است. MOR به عنوان نسل بعدی فوتورزیست تقویت شده شیمیایی (CAR) که در حال حاضر در لیتوگرافی تراشه پیشرفته استفاده میشود، در نظر گرفته میشود.
علاوه بر این، این شرکت از سال 2022 با SK Hynix در زمینه تحقیق MOR همکاری داشته است. SK Hynix قبلاً گفته بود که استفاده از فوتورزیست اکسید Sn (پایه) به بهبود عملکرد DRAM نسل بعدی و کاهش هزینهها کمک میکند.
گزارش TheElec همچنین خاطرنشان کرد که Samsung Electronics نیز در حال بررسی استفاده از MOR در DRAM 1c است و در حال حاضر Samsung Electronics شش تا هفت لایه EUV را روی DRAM 1c اعمال میکند، در حالی که Micron فقط یک لایه را اعمال میکند.