Global Soul Limited liyi@gs-smt.com 86-755-27962186
Khi quá trình thu nhỏ DRAM tiếp tục phát triển, các công ty như SK Hynix và Samsung Electronics đang tập trung vào việc phát triển và ứng dụng các vật liệu mới.
Theo TheElec, SK Hynix có kế hoạch sử dụng chất cản quang oxit kim loại (MOR) thế hệ tiếp theo của Inpria trong sản xuất DRAM thế hệ thứ 6 (quy trình 1c, khoảng 10nm), đây là lần đầu tiên MOR được áp dụng vào quy trình sản xuất hàng loạt DRAM.
DRAM 1c được sản xuất hàng loạt của SK Hynix có năm lớp tia cực tím cực tím (EUV) trên đó, một trong số đó sẽ được vẽ bằng MOR, các nguồn tin cho biết. "Không chỉ SK Hynix mà cả Samsung Electronics cũng sẽ theo đuổi các vật liệu PR vô cơ như vậy," ông nói thêm.
Inpria là công ty con của công ty hóa chất Nhật Bản JSR và là công ty dẫn đầu trong lĩnh vực chất cản quang vô cơ. MOR được coi là thế hệ tiếp theo của chất cản quang khuếch đại hóa học (CAR) hiện đang được sử dụng trong công nghệ in thạch bản chip tiên tiến.
Ngoài ra, công ty đã hợp tác với SK Hynix trong nghiên cứu MOR từ năm 2022. SK Hynix trước đây đã nói rằng việc sử dụng chất cản quang oxit Sn (gốc) sẽ giúp cải thiện hiệu suất của DRAM thế hệ tiếp theo và giảm chi phí.
Báo cáo của TheElec cũng lưu ý rằng Samsung Electronics cũng đang xem xét áp dụng MOR cho DRAM 1c và hiện tại Samsung Electronics áp dụng sáu đến bảy lớp EUV trên DRAM 1c, trong khi Micron chỉ áp dụng một lớp.
